参数	值
产品	未分类
型号编码	NCP5106ADR2G
说明	未分类   8-SOIC
品牌	ON(安森美)
起订量	2500
最小包	2500
现货	5139 [库存更新时间：2025-04-02]
驱动配置	半桥
FET类型	独立式
驱动器数	2
栅极类型	IGBT,N 沟道 MOSFET
电压-电源	10 V ~ 20 V
逻辑电压 -VIL，VIH	0.8V,2.3V
电流-峰值输出（灌入，拉出）	250mA,500mA
输入类型	非反相
高压侧电压-最大值（自举）	600V
上升/下降时间（典型值）	85ns,35ns
工作温度	-40°C ~ 125°C (TJ)
封装/外壳	8-SOIC
上升时间	160 ns
最高工作温度	+ 150 C
标准包装数量	2500
电源电压 - 最小值	- 0.3 V
电源电流	5 mA
FET类型	High Side/Low Side
系列	NCP5106
输出数	2
配置	Non-Inverting
下降时间	75 ns
最低工作温度	- 55 C
最大功率消耗	178 W