参数	值
产品	未分类
型号编码	MMUN2114LT1G
说明	未分类   SOT-23-3(TO-236) SOT-23 SOT-23-3
品牌	ON(安森美)
起订量	0
最小包	0
现货	859 [库存更新时间：2025-04-04]
FET类型	PNP - 预偏压
电阻器-基底（R1）（欧姆）	10k
电阻器-发射极基底（R2）（欧姆）	47K Ohms
不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）	80 @ 5mA,10V
不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）	250mV @ 300µA,10mA
电流-集电极截止（最大值）	500nA
封装/外壳	SOT-23-3(TO-236)
封装/外壳	SOT-23
FET类型	P-Channel
集电极最大允许电流Ic	100mA
集电极_发射极击穿电压VCEO	50V
峰值直流集电极电流	100 mA
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
配置	Single
FET类型	P-Channel
典型输入电阻器	10 K0hms
典型电阻器比率	0.21
封装/外壳	SOT-23-3
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	0.1 A