参数	值
产品	未分类
型号编码	MMUN2111LT3G
说明	未分类   SOT-23-3(TO-236) SOT-23 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
品牌	ON(安森美)
起订量	1
最小包	10000
现货	12251 [库存更新时间：2025-04-05]
FET类型	PNP - 预偏压
电阻器-发射极基底（R2）（欧姆）	10k
不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）	35 @ 5mA,10V
不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）	250mV @ 300µA,10mA
电流-集电极截止（最大值）	500nA
封装/外壳	SOT-23-3(TO-236)
封装/外壳	SOT-23
FET类型	P-Channel
集电极最大允许电流Ic	100mA
集电极_发射极击穿电压VCEO	50V
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）	250mV @ 300µA,10mA
电流 - 集电极截止（最大值）	500nA
封装/外壳	TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
电流 - 集电极（Ic）（最大值）	100mA
电压 - 集射极击穿（最大值）	50V
电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）	10k
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	35 @ 5mA,10V