参数	值
产品	未分类
型号编码	MMIX1F360N15T2
说明	未分类   SMPD 25.25mm 25.25x23.25x5.7mm
品牌	IXYS
起订量	20
最小包	20
现货	181 [库存更新时间：2025-04-13]
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	235 A
漏源极电压Vds	150 V
Rds On(Max)@Id,Vgs	4.4 m0hms
栅极电压Vgs	5V
栅极电压Vgs	±30V
封装/外壳	SMPD
晶体管配置	单
引脚数目	24
FET类型	增强
类别	功率 MOSFET
功率	680 W
正向跨导	230S
长度	25.25mm
正向二极管电压	1.2V
封装/外壳	25.25 x 23.25 x 5.7mm
每片芯片元件数目	1 Ohms
系列	GigaMOS, HiperFET
高度	5.7mm
晶体管材料	Si
漏源极电压Vds	47500 pF@ 25 V
典型关断延迟时间	115 ns
典型接通延迟时间	50 ns
宽度	23.25mm
最高工作温度	+175 °C
最低工作温度	-55 °C