参数	值
产品	未分类
型号编码	MMBT6427LT1G
说明	未分类   SOT-23-3(TO-236) SOT-23 SOT-23-3
起订量	3
最小包	3
现货	426 [库存更新时间：2024-05-06]
FET类型	NPN - 达林顿
电流-集电极（Ic）（最大值）	500mA
不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）	1.5V @ 500µA,500mA
电流-集电极截止（最大值）	1µA
不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）	20000 @ 100mA,5V
工作温度	-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	SOT-23-3(TO-236)
封装/外壳	SOT-23
FET类型	NPN
集电极最大允许电流Ic	0.5A
集电极_发射极击穿电压VCEO	40V
最大工作温度	+ 150 C
封装/外壳	SOT-23-3
集电极连续电流	0.5 A
直流集电极/Base Gain hfe Min	10000
最小工作温度	- 55 C
配置	Single
FET类型	NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO	40 V
发射极 - 基极电压 VEBO	12 V
最大集电极截止电流	0.05 uA