参数 | 值 |
---|---|
产品 | 通用三极管 |
型号编码 | MJD32CT4G |
说明 | 通用三极管 DPAK |
起订量 | 2 |
最小包 | 2 |
现货 | 399 [库存更新时间:2025-04-07] |
封装/外壳 | DPAK |
功率耗散Pd | 1.56W |
FET类型 | PNP |
集电极-发射极最大电压VCEO | -100V |
集电极连续电流 | -3A |
集电极-射极饱和电压 | -1.2V |
直流电流增益hFE | 10 |
特征频率fT | 3MHz |
VEBO | -5V |
VCBO | -100V |
工作温度 | -65℃~150℃ |
参数 | 值 |
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产品 | 通用三极管 |
型号编码 | MJD32CT4G |
说明 | 通用三极管 DPAK |
起订量 | 2 |
最小包 | 2 |
现货 | 399 [库存更新时间:2025-04-07] |
封装/外壳 | DPAK |
功率耗散Pd | 1.56W |
FET类型 | PNP |
集电极-发射极最大电压VCEO | -100V |
集电极连续电流 | -3A |
集电极-射极饱和电压 | -1.2V |
直流电流增益hFE | 10 |
特征频率fT | 3MHz |
VEBO | -5V |
VCBO | -100V |
工作温度 | -65℃~150℃ |