参数	值
产品	未分类
型号编码	MGSF1N02LT1G
说明	未分类   TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23
品牌	ON(安森美)
起订量	3000
最小包	3000
现货	6145 [库存更新时间：2024-06-07]
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	750mA(Ta)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	4.5V,10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	2.4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	125pF @ 5V
栅极电压Vgs	±20V
功率	400mW(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs	90 毫欧 @ 1.2A,10V
工作温度	-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
封装/外壳	SOT-23
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	20V
连续漏极电流Id	0.75A