参数	值
产品	未分类
型号编码	MDD3N50GRH
说明	未分类   DPAK(TO-252) 6.73x6.22x2.39mm 6.73mm
品牌	MAGNACHIP
起订量	0
最小包	0
现货	824 [库存更新时间：2025-04-03]
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	2.8 A
漏源极电压Vds	500 V
Rds On(Max)@Id,Vgs	2.5 0hms
栅极电压Vgs	5V
栅极电压Vgs	±30V
封装/外壳	DPAK (TO-252)
晶体管配置	单
引脚数目	3
FET类型	增强
功率	45W
每片芯片元件数目	1 Ohms
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
封装/外壳	6.73 x 6.22 x 2.39mm
长度	6.73mm
正向跨导	4.8S
高度	2.39mm
漏源极电压Vds	285 pF @ 25 V
典型关断延迟时间	33 ns
典型接通延迟时间	19 ns
宽度	6.22mm
正向二极管电压	1.4V
晶体管材料	Si