参数	值
产品	未分类
型号编码	MDD1903RH
说明	未分类   DPAK(TO-252) 6.73x6.22x2.39mm 6.73mm
品牌	MAGNACHIP
起订量	0
最小包	0
现货	824 [库存更新时间：2025-04-05]
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	12.8 A
漏源极电压Vds	100 V
Rds On(Max)@Id,Vgs	110 m0hms
栅极电压Vgs	3V
栅极电压Vgs	-20 V、+20 V
封装/外壳	DPAK (TO-252)
引脚数目	3
晶体管配置	单
FET类型	增强
功率	36.8 W
最低工作温度	-55 °C
每片芯片元件数目	1 Ohms
晶体管材料	Si
漏源极电压Vds	475 pF @ 25 V
典型关断延迟时间	16.2 ns
典型接通延迟时间	6.8 ns
宽度	6.22mm
正向跨导	17S
最高工作温度	+150 °C
封装/外壳	6.73 x 6.22 x 2.39mm
长度	6.73mm
高度	2.39mm
正向二极管电压	1.2V