参数	值
产品	未分类
型号编码	MC1413DR2G
说明	未分类   16-SOIC SOIC 16-SOIC(0.154",3.90mm宽)
品牌	ON(安森美)
起订量	2500
最小包	2500
现货	10122 [库存更新时间：2024-05-08]
FET类型	7 NPN 达林顿
电流-集电极（Ic）（最大值）	500mA
不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）	1.6V @ 500µA,350mA
不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）	1000 @ 350mA,2V
工作温度	150°C(TJ)
封装/外壳	16-SOIC
封装/外壳	SOIC
FET类型	NPN
集电极最大允许电流Ic	0.5A
集电极_发射极击穿电压VCEO	50V
封装/外壳	16-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
电流 - 集电极（Ic）（最大值）	500mA
电压 - 集射极击穿（最大值）	50V
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）	1.6V @ 500µA,350mA
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	1000 @ 350mA,2V