| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品 | 未分类 |
| 型号编码 | L6387E |
| 说明 | 未分类 8-DIP 8-DIP |
| 品牌 | ST(意法半导体) |
| 起订量 | 0 |
| 最小包 | 0 |
| 现货 | 704 [库存更新时间:2026-01-21] |
| 驱动配置 | 半桥 |
| FET类型 | 独立式 |
| 驱动器数 | 2 |
| 栅极类型 | IGBT,N 沟道 MOSFET |
| 电压 - 电源 | 17V(最大) |
| 逻辑电压 - VIL,VIH | 1.5V,3.6V |
| 电流 - 峰值输出(灌入,拉出) | 400mA,650mA |
| 输入类型 | 反相 |
| 高压侧电压 - 最大值(自举) | 600V |
| 上升/下降时间(典型值) | 50ns,30ns |
| 工作温度 | -45°C ~ 125°C(TJ) |
| 封装/外壳 | 8-DIP |
| 封装/外壳 | 8-DIP |


