参数	值
产品	未分类
型号编码	IXTY08N100D2
说明	未分类   TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63
品牌	IXSY
起订量	1
最小包	1
现货	326 [库存更新时间：2025-04-05]
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	14.6nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	325pF @ 25V
栅极电压Vgs	±20V
FET类型	耗尽模式
功率	60W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	21 欧姆 @ 400mA,0V
工作温度	-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	1000V(1KV)
连续漏极电流Id	800mA(Tc)