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    未分类 IXFK320N17T2 IXSY
    未分类 IXTX600N04T2 IXSY
    未分类 IX21844NTR IXSY 最高工作温度:+ 125 C 封装/外壳:SOIC-14 FET类型:High Voltage Half-Bridge Driver 输出数:1 Ohms 系列:IX21844 功率散耗:1 W 最长断开延迟时间:400 ns 最低工作温度:- 40 C 标准包装数量:2000 上升时间:60 ns 下降时间:35 ns 电源电压 - 最大值:20 V 电源电压 - 最小值:10 V 电源电流:150 uA
    未分类 IXTK550N055T2 IXSY 上升时间:40 ns 下降时间:230 ns 最大工作温度:+ 175 C 最大开启延迟时间:45 ns 最小工作温度:- 55 C 激励器数量:Single 电源电流:200 A FET类型:TrenchT2 GigaMOS 输出电压:55 V 输出电流:550 A 输出端数量:1 Ohms 封装/外壳:Tube 封装/外壳:TO-264 最大关闭延迟时间:90 ns 功率:1250 W
    未分类 IXDF602SIA IXSY
    未分类 IX4426NTR IXSY
    未分类 IX4424NTR IXSY
    未分类 IXDN602SI IXSY
    未分类 IX4427N IXSY
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    未分类 IX4423N IXSY
    未分类 IXTK600N04T2 IXSY
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    未分类 IXDD609SITR IXSY
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    未分类 IXDN614PI IXSY
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    未分类 IXBK64N250 IXSY
    未分类 IXDN609PI IXSY
    未分类 IXFX360N15T2 IXSY 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:47500pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V 功率:1670W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:4 毫欧 @ 60A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:150V 连续漏极电流Id:360A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 8mA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:715nC @ 10V
    未分类 IXDI609PI IXSY
    未分类 IXFK240N15T2 IXSY
    未分类 IXDI609SI IXSY
    未分类 IXDN609YI IXSY
    未分类 IX4427NTR IXSY
    未分类 IXDN602SIA IXSY
    未分类 IXDD609SIA IXSY 上升时间:22 ns 下降时间:15 ns 系列:IXDD609 封装/外壳:Tube 标准包装数量:100 电源电压 - 最大值:35 V 电源电压 - 最小值:4.5 V 电源电流:10 uA
    未分类 IXDD614CI IXSY
    未分类 FDA217S IXSY 电压 - 正向（Vf）（典型值）:1.26V 电流 - DC 正向（If）:5mA 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SMD,鸥翼型 认可:EN,IEC,TUV 通道数:2 电压 - 隔离:3750Vrms 传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）:2ms,0.5ms
    未分类 IXDD614YI IXSY 电压 - 负载:4.5 V ~ 35 V 电压 - 电源（Vcc/Vdd）:不需要 电流 - 输出（最大值）:4A 输入类型:非反相 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 封装/外壳:TO-263-6,D²Pak(5 引线 + 接片),TO-263BA 输出数:1 Ohms 比率 - 输入:输出:1：1 输出配置:低端 接口:开/关
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    未分类 IX21844G IXSY
    未分类 IXFK360N15T2 IXSY 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:47500pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V 功率:1670W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:4 毫欧 @ 60A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:TO-264-3,TO-264AA FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:150V 连续漏极电流Id:360A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 8mA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:715nC @ 10V
    未分类 IXDD609SIATR IXSY 上升时间:22 ns 下降时间:15 ns 系列:IXDD609 标准包装数量:2000 电源电压 - 最大值:35 V 电源电压 - 最小值:4.5 V 电源电流:10 uA
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    未分类 IXDI609SIA IXSY
    未分类 IX2127N IXSY
    未分类 IXTN600N04T2 IXSY 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:40000pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V 功率:940W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:1.05 毫欧 @ 100A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:40V 连续漏极电流Id:600A 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:590nC @ 10V
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    未分类 VHF25-08io7 IXSY
    未分类 VVZ40-12io1 IXSY
    未分类 VVZ175-16io7 IXSY 最大转折电流 IBO:1600 A 电流额定值:167 A 最小工作温度:- 40 C 额定重复关闭状态电压 VDRM:1600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:0.3 mA 保持电流（Ih 最大值）:200 mA 栅触发电压 (Vgt):1.5 V 栅触发电流 (Igt):100 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装/外壳:PWS-E-2
    未分类 CS45-08io1 IXSY 最大转折电流 IBO:560 A 封装/外壳:TO-247 封装/外壳:Tube 最大工作温度:+ 140 C 最小工作温度:- 40 C 额定重复关闭状态电压 VDRM:800 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 mA 正向电压下降:1.64 V 栅触发电压 (Vgt):1.5 V 最大栅极峰值反向电压:10 V 栅触发电流 (Igt):100 mA
    未分类 CS30-14io1 IXSY
    未分类 VHF36-14io5 IXSY
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