参数	值
产品	未分类
型号编码	IXFH36N50P
说明	未分类   TO-247AD 16.26mm 16.26x5.3x21.46mm
品牌	IXYS
现货	635 [库存更新时间：1970-01-01]
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	36 A
漏源极电压Vds	500 V
Rds On(Max)@Id,Vgs	170 m0hms
栅极电压Vgs	5V
栅极电压Vgs	±30V
封装/外壳	TO-247AD
晶体管配置	单
引脚数目	3
FET类型	增强
类别	功率 MOSFET
功率	540 W
典型接通延迟时间	25 ns
典型关断延迟时间	75 ns
漏源极电压Vds	5500 pF@ 25 V
晶体管材料	Si
系列	HiperFET, Polar
宽度	5.3mm
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
长度	16.26mm
高度	21.46mm
封装/外壳	16.26 x 5.3 x 21.46mm
每片芯片元件数目	1 Ohms