参数	值
产品	未分类
型号编码	IRLML6401TR
说明	未分类   Micro3™/SOT-23 TO-236-3
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	0
最小包	0
现货	294 [库存更新时间：2025-04-16]
FET类型	P-Channel
漏源极电压Vds	12V
连续漏极电流Id	4.3A(Ta)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	1.8V,4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	950mV @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	15nC @ 5V
栅极电压Vgs	±8V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	830pF @ 10V
功率	1.3W(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs	50 毫欧 @ 4.3A,4.5V
工作温度	-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	Micro3™/SOT-23
封装/外壳	TO-236-3