参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	IRLHM630TRPBF
说明	功率MOSFET   PQFN(3x3) 3.3mm
起订量	4
最小包	4
现货	418 [库存更新时间：2024-06-01]
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	1.1V @ 50µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	62nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	3170pF @ 25V
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
系列	HEXFET®
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	2.5V,10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	1.1V @ 50µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	62nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	3170pF @ 25V
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs	4.5V
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds	25V
封装/外壳	PQFN(3x3)
通道数量	1Channel
漏源极电压Vds	30V
连续漏极电流Id	40A
Rds On(Max)@Id,Vgs	3.5mΩ
栅极电压Vgs	12V
Qg-栅极电荷	41nC
配置	Single
Pd-功率耗散(Max)	2.7W
高度	1.05mm
长度	3.3mm
FET类型	N-Channel
宽度	3.3mm
正向跨导 - 最小值	140S
下降时间	43ns
上升时间	32ns
典型关闭延迟时间	65ns
典型接通延迟时间	9.1ns