参数 | 值 |
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产品 | 通用MOSFET |
型号编码 | IRHG6110 |
说明 | 通用MOSFET MO-036AB |
品牌 | Infineon(英飞凌) |
起订量 | 0 |
最小包 | 0 |
现货 | 348 [库存更新时间:2025-04-04] |
封装/外壳 | MO-036AB |
Technology | Hi-Rel DISCRETE |
Circuit | Dual |
FET类型 | N+P-Channel |
BVDSS | 100 |
Generation | G4 |
Die Size | 1 Ohms |
Optional Total Dose Ratings | 300 |
Halogen-Free | Yes |
连续漏极电流Id | -0.5 |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 0.7 |