参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	IRFZ34NSTRLPBF
说明	功率MOSFET   D2PAK
起订量	800
最小包	800
现货	2010 [库存更新时间：2024-10-22]
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	34nC @ 10V
栅极电压Vgs	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	700pF @ 25V
Pd-功率耗散(Max)	3.8W(Ta),68W(Tc)
工作温度	-55°C~175°C(TJ)
系列	HEXFET®
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	4V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	34nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	700pF @ 25V
Rds On(Max)@Id,Vgs	40mΩ@16A,10V
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	55V
连续漏极电流Id	29A
封装/外壳	D2PAK
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs	10V
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds	25V