参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	IRFSL4321PBF
说明	通用MOSFET   TO262 TO-262 TO-262
起订量	50
最小包	50
现货	510 [库存更新时间：2024-04-30]
系列	HEXFET®
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	85A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	5V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	110nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	4460pF @ 25V
栅极电压Vgs	±30V
Pd-功率耗散(Max)	350W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	15mΩ@33A,10V
工作温度	-55°C~175°C(TJ)
封装/外壳	TO262
封装/外壳	TO-262
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	150V
连续漏极电流Id	83A
漏源极电压Vds	150V
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	110nC
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs	10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	4460pF
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds	25V
封装/外壳	TO-262