参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	IRFR3708TRPBF
说明	功率MOSFET   D-Pak
起订量	2
最小包	2
现货	414 [库存更新时间：2024-06-02]
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	24nC @ 4.5V
栅极电压Vgs	±12V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	2417pF @ 15V
Pd-功率耗散(Max)	87W(Tc)
工作温度	-55°C~175°C(TJ)
系列	HEXFET®
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	2.8V,10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	2V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	24nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	2417pF @ 15V
Rds On(Max)@Id,Vgs	12.5mΩ@15A,10V
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	30V
连续漏极电流Id	61A
封装/外壳	D-Pak
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs	4.5V
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds	15V