参数	值
产品	未分类
型号编码	IRFM120ATF
说明	未分类   SOT-223 6.7x3.7x1.7mm 6.7mm
品牌	ON(安森美)
起订量	0
最小包	0
现货	654 [库存更新时间：2025-04-15]
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	2.3 A
漏源极电压Vds	100 V
Rds On(Max)@Id,Vgs	200 m0hms
最小栅阈值电压	2V
栅极电压Vgs	-20 V、+20 V
封装/外壳	SOT-223
晶体管配置	单
引脚数目	3+Tab
FET类型	增强
类别	功率 MOSFET
功率	2.4W
高度	1.7mm
封装/外壳	6.7 x 3.7 x 1.7mm
宽度	3.7mm
最低工作温度	-55 °C
晶体管材料	Si
漏源极电压Vds	370 pF @ 25 V
典型关断延迟时间	36 ns
典型接通延迟时间	14 ns
长度	6.7mm
最高工作温度	+150 °C
每片芯片元件数目	1 Ohms