参数	值
产品	未分类
型号编码	IRFHM8363TR2PBF
说明	未分类   8-PowerVDFN 8-PQFN(3.3x3.3),Power33
起订量	0
最小包	0
现货	484 [库存更新时间：2025-04-13]
FET类型	2N-Channel
FET类型	逻辑电平门
漏源极电压Vds	30V
连续漏极电流Id	11A
Rds On(Max)@Id,Vgs	14.9 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2.35V @ 25µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	15nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	1165pF @ 10V
功率	2.7W
工作温度	-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	8-PowerVDFN
封装/外壳	8-PQFN(3.3x3.3),Power33