参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	IRFH6200TRPBF
说明	功率MOSFET   PQFN(5x6)
起订量	4
最小包	4
现货	418 [库存更新时间：2024-06-07]
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	1.1V @ 150µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	230nC @ 4.5V
栅极电压Vgs	±12V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	10890pF @ 10V
Pd-功率耗散(Max)	3.6W(Ta),156W(Tc)
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
系列	HEXFET®
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	2.5V,10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	1.1V @ 150µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	230nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	10890pF @ 10V
Rds On(Max)@Id,Vgs	0.95mΩ@50A,10V
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	20V
连续漏极电流Id	45A
封装/外壳	PQFN(5x6)
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs	4.5V
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds	10V