参数	值
产品	未分类
型号编码	IRFD020
说明	未分类   HVMDIP 5x6.29x3.37mm 5mm
品牌	Vishay(威世)
起订量	0
最小包	0
现货	659 [库存更新时间：2026-02-10]
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	2.4A
漏源极电压Vds	50 V
Rds On(Max)@Id,Vgs	100 m0hms
最小栅阈值电压	2V
栅极电压Vgs	-20 V、+20 V
封装/外壳	HVMDIP
晶体管配置	单
引脚数目	4
FET类型	增强
类别	功率 MOSFET
功率	1W
高度	3.37mm
每片芯片元件数目	1 Ohms
封装/外壳	5 x 6.29 x 3.37mm
最高工作温度	+150 °C
晶体管材料	Si
漏源极电压Vds	400 pF @ 25 V
典型关断延迟时间	16 ns
典型接通延迟时间	8.7 ns
最低工作温度	-55 °C
长度	5mm
宽度	6.29mm