参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	IRFBE30PBF
说明	功率MOSFET   10.41mm TO-220-3
起订量	1
最小包	1
现货	412 [库存更新时间：2025-12-01]
系列	IRF
高度	15.49 mm
长度	10.41 mm
宽度	4.7 mm
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	4V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	78nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	1300pF @ 25V
栅极电压Vgs	±20V
Pd-功率耗散(Max)	125W(Tc)
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
封装/外壳	TO-220-3
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	800V
连续漏极电流Id	4.1A
Rds On(Max)@Id,Vgs	3Ω