参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	IRF7799L2TRPBF
说明	功率MOSFET   DirectFET™等距L8
起订量	0
最小包	0
现货	460 [库存更新时间：2025-04-02]
25°C时电流-连续漏极(Id)	375A(Tc)
FET类型	N 通道
Vgs(最大值)	±30V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值)	38 毫欧 @ 21A,10V
不同Id时Vgs(th)(最大值)	5V @ 250uA
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值)	6714pF @ 25V
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值)	165nC @ 10V
功率耗散(最大值)	4.3W(Ta),125W(Tc)
封装/外壳	DirectFET™ 等距 L8
工作温度	-55°C ~ 175°C(TJ)
技术	MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)	250V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)	10V