参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	IRF7769L2TRPBF
说明	功率MOSFET   9.15mm
起订量	0
最小包	0
现货	460 [库存更新时间：2024-05-03]
漏源极电压Vds	100V
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	300nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	11560pF @ 25V
工作温度	-55°C~175°C(TJ)
通道数量	1Channel
连续漏极电流Id	124A
Rds On(Max)@Id,Vgs	2.8mΩ
栅极电压Vgs	20V
Qg-栅极电荷	200nC
配置	SingleHexDrainOctalSource
Pd-功率耗散(Max)	125W
高度	0.74mm
长度	9.15mm
FET类型	N-Channel
宽度	7.1mm
下降时间	41ns
上升时间	32ns
典型关闭延迟时间	92ns
典型接通延迟时间	44ns