参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	IRF6201PBF
说明	功率MOSFET   8-SOIC(0.154"",3.90mm宽)
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	0
最小包	0
现货	517 [库存更新时间：2025-04-02]
25°C时电流-连续漏极(Id)	27A(Ta)
FET类型	N 通道
Vgs(最大值)	±12V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值)	2.45 毫欧 @ 27A,4.5V
不同Id时Vgs(th)(最大值)	1.1V @ 100uA
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值)	8555pF @ 16V
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值)	195nC @ 4.5V
功率耗散(最大值)	2.5W(Ta)
封装/外壳	8-SOIC(0.154"",3.90mm 宽)
工作温度	-55°C ~ 150°C(TJ)
技术	MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)	20V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)	2.5V,4.5V