参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	IRF3717TRPBF
说明	功率MOSFET   8-SO
起订量	4
最小包	4
现货	417 [库存更新时间：2024-04-18]
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2.45V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	33nC @ 4.5V
栅极电压Vgs	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	2890pF @ 10V
Pd-功率耗散(Max)	2.5W(Ta)
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
系列	HEXFET®
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	4.5V,10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	2.45V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	33nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	2890pF @ 10V
Rds On(Max)@Id,Vgs	4.4mΩ@20A,10V
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	20V
连续漏极电流Id	20A
封装/外壳	8-SO