参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	IPU60R600C6AKMA1
说明	通用MOSFET   PG-TO251-3 PG-TO251-3
起订量	0
最小包	0
现货	460 [库存更新时间：2024-05-06]
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	600V
连续漏极电流Id	7.3A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	3.5V @ 200µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	20.5nC @ 10V
栅极电压Vgs	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	440pF @ 100V
Pd-功率耗散(Max)	63W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	600 毫欧 @ 2.4A,10V
工作温度	-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	PG-TO251-3
封装/外壳	PG-TO251-3