参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	IPS70R360P7SAKMA1
说明	通用MOSFET   PG-TO251 PG-TO251-3
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	0
最小包	0
现货	292 [库存更新时间：2025-04-02]
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	700V
连续漏极电流Id	12.5A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	3.5V @ 150µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	16.4nC @ 10V
栅极电压Vgs	±16V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	517pF @ 400V
Pd-功率耗散(Max)	59.5W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	360 毫欧 @ 3A,10V
工作温度	-40°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	PG-TO251
封装/外壳	PG-TO251-3