参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	IPI90R500C3XKSA1
说明	通用MOSFET   PG-TO262-3 PG-TO262-3 I2PAK(TO-262) 10.2mm 10.2x4.5x9.45mm
起订量	500
最小包	500
现货	1409 [库存更新时间：2025-04-04]
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	900V
连续漏极电流Id	11A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	3.5V @ 740µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	68nC @ 10V
栅极电压Vgs	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	1700pF @ 100V
Pd-功率耗散(Max)	156W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	500 毫欧 @ 6.6A,10V
工作温度	-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	PG-TO262-3
封装/外壳	PG-TO262-3
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	11 A
漏源极电压Vds	900 V
Rds On(Max)@Id,Vgs	500 m0hms
栅极电压Vgs	±30V
封装/外壳	I2PAK (TO-262)
晶体管配置	单
引脚数目	3
FET类型	增强
类别	功率 MOSFET
Pd-功率耗散(Max)	156W
典型接通延迟时间	70 ns
典型关断延迟时间	400 ns
漏源极电压Vds	1700 pF @ 100 V
晶体管材料	Si
最高工作温度	+150 °C
高度	9.45mm
系列	CoolMOS C3
宽度	4.5mm
最低工作温度	-55 °C
长度	10.2mm
正向二极管电压	1.2V
封装/外壳	10.2 x 4.5 x 9.45mm
每片芯片元件数目	1 Ohms