参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	IPI50R199CPXKSA1
说明	通用MOSFET   I2PAK(TO-262) 10.36mm 10.36x4.52x9.45mm PG-TO262-3
起订量	500
最小包	500
现货	1409 [库存更新时间：2025-04-03]
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	17 A
漏源极电压Vds	550 V
Rds On(Max)@Id,Vgs	199 m0hms
栅极电压Vgs	3.5V
最小栅阈值电压	2.5V
栅极电压Vgs	-20 V、+20 V
封装/外壳	I2PAK (TO-262)
引脚数目	3
晶体管配置	单
FET类型	增强
类别	功率 MOSFET
Pd-功率耗散(Max)	139W
长度	10.36mm
每片芯片元件数目	1 Ohms
封装/外壳	10.36 x 4.52 x 9.45mm
宽度	4.52mm
系列	CoolMOS CP
晶体管材料	Si
漏源极电压Vds	1800 pF @ 100 V
典型关断延迟时间	80 ns
典型接通延迟时间	35 ns
最低工作温度	-55 °C
高度	9.45mm
最高工作温度	+150 °C
封装/外壳	PG-TO262-3