型号参数与资料
- 型号
- IPI50R199CPXKSA1
- 类别
- 通用MOSFET
| FET类型 | N-Channel |
|---|---|
| 连续漏极电流Id | 17 A |
| 漏源极电压Vds | 550 V |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 199 m0hms |
| 栅极电压Vgs | 3.5V |
| 最小栅阈值电压 | 2.5V |
| 栅极电压Vgs | -20 V、+20 V |
| 封装/外壳 | I2PAK (TO-262) |
| 引脚数目 | 3 |
| 晶体管配置 | 单 |
| FET类型 | 增强 |
| 类别 | 功率 MOSFET |
| Pd-功率耗散(Max) | 139W |
| 长度 | 10.36mm |
| 每片芯片元件数目 | 1 Ohms |
| 封装/外壳 | 10.36 x 4.52 x 9.45mm |
| 宽度 | 4.52mm |
| 系列 | CoolMOS CP |
| 晶体管材料 | Si |
| 漏源极电压Vds | 1800 pF @ 100 V |
| 典型关断延迟时间 | 80 ns |
| 典型接通延迟时间 | 35 ns |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 高度 | 9.45mm |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 封装/外壳 | PG-TO262-3 |
通用MOSFET I2PAK(TO-262) 10.36mm 10.36x4.52x9.45mm PG-TO262-3
资料中的环保标注：无铅/符合RoHs。适用声明需核对制造商文件。
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