参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	IPD60R650CEATMA1
说明	通用MOSFET   TO-252-3 DPAK TO-252-3
起订量	0
最小包	0
现货	460 [库存更新时间：2024-05-08]
系列	CoolMOS™ CE
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	7A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	3.5V @ 200µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	20.5nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	440pF @ 100V
栅极电压Vgs	±20V
Pd-功率耗散(Max)	63W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	650m Ohms@2.4A,10V
工作温度	-40°C~150°C(TJ)
封装/外壳	TO-252-3
封装/外壳	DPAK
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	600V
连续漏极电流Id	7A
漏源极电压Vds	600V
封装/外壳	TO-252-3