参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	IPD15N06S2L64ATMA2
说明	通用MOSFET   PG-TO252-3 PG-TO252-3-11
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	1
最小包	2500
现货	5391 [库存更新时间：2025-04-15]
系列	汽车级,AEC-Q101,OptiMOS™
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	19A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	4.5V,10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	2V @ 14µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	13nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	354pF @ 25V
栅极电压Vgs	±20V
Pd-功率耗散(Max)	47W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	64m Ohms@13A,10V
工作温度	-55°C~175°C(TJ)
封装/外壳	PG-TO252-3
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	55V
连续漏极电流Id	19A
漏源极电压Vds	55V
封装/外壳	PG-TO252-3-11