参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	IPD110N12N3GATMA1
说明	通用MOSFET   PG-TO252-3 PG-TO252-3
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	1
最小包	2500
现货	7038 [库存更新时间：2025-04-04]
系列	OptiMOS™
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	75A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	3V @ 83µA(标准)
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	65nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	4310pF @ 60V
栅极电压Vgs	±20V
Pd-功率耗散(Max)	136W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	11m Ohms@75A,10V
工作温度	-55°C~175°C(TJ)
封装/外壳	PG-TO252-3
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	120V
连续漏极电流Id	75A
漏源极电压Vds	120V
封装/外壳	PG-TO252-3