参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	IPB65R190CFDAATMA1
说明	功率MOSFET   TO-263-3,D²Pak(2引线+接片),TO-263AB
起订量	1
最小包	1
现货	396 [库存更新时间：2025-04-01]
25°C时电流-连续漏极(Id)	17.5A(Tc)
FET类型	N 通道
Vgs(最大值)	±20V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值)	190 毫欧 @ 7.3A,10V
不同Id时Vgs(th)(最大值)	4.5V @ 700uA
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值)	1850pF @ 100V
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值)	68nC @ 10V
功率耗散(最大值)	151W(Tc)
封装/外壳	TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
工作温度	-40°C ~ 150°C(TJ)
技术	MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)	650V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)	10V