| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品 | 通用MOSFET |
| 型号编码 | IPB120N10S4-05 |
| 说明 | 通用MOSFET D2PAK(TO-263) |
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| 起订量 | 1000 |
| 最小包 | 1000 |
| 现货 | 2287 [库存更新时间：2025-04-08] |
| Moisture Level | 1 Ohms |
| 漏源极电压Vds | 100V |
| 连续漏极电流Id | 120A |
| Technology | OptiMOS™-T2 |
| RthJC max | 0.8 K/W |
| QG (typ @10V) | 70.0 nC |
| 封装/外壳 | D2PAK (TO-263) |
| QG | 91.0nC |
| Budgetary Price €/1k | 0.93 |
| Ptot max | 190.0W |
| FET类型 | N-Channel |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 5mΩ |
| 栅极电压Vgs | 2V,3.5V |
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