参数 | 值 |
---|---|
产品 | 功率MOSFET |
型号编码 | IPB072N15N3 G |
说明 | 功率MOSFET 10mm |
品牌 | Infineon(英飞凌) |
起订量 | 1 |
最小包 | 1000 |
现货 | 1288 [库存更新时间:2025-04-09] |
300 W | Pd - 功率消耗 |
标准包装数量 | 1000 |
标准断开延迟时间 | 46 ns |
系列 | IPB072N15 |
配置 | Single |
上升时间 | 35 ns |
下降时间 | 14 ns |
公司名称 | OptiMOS |
通道数量 | 1Channel |
漏源极电压Vds | 150V |
连续漏极电流Id | 100A |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 7.2mΩ |
栅极电压Vgs | 10V |
Qg-栅极电荷 | 70nC |
Pd-功率耗散(Max) | 300W |
高度 | 4.4mm |
长度 | 10mm |
FET类型 | N-Channel |
宽度 | 9.25mm |
正向跨导 - 最小值 | 65S |
典型关闭延迟时间 | 46ns |
典型接通延迟时间 | 25ns |
工作温度 | -55°C~175°C |