参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	IPA60R450E6XKSA1
说明	通用MOSFET   PG-TO-220-FP PG-TO220-3 TO-220FP 10.65x4.85x16.15mm 10.65mm
起订量	500
最小包	500
现货	1409 [库存更新时间：2025-04-05]
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	600V
连续漏极电流Id	9.2A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	3.5V @ 280µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	28nC
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs	10V
栅极电压Vgs	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	620pF
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds	100V
Pd-功率耗散(Max)	30W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	450 毫欧 @ 3.4A,10V
工作温度	-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	PG-TO-220-FP
封装/外壳	PG-TO220-3
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	9.2 A
漏源极电压Vds	650 V
Rds On(Max)@Id,Vgs	450 m0hms
栅极电压Vgs	3.5V
最小栅阈值电压	2.5V
栅极电压Vgs	±30V
封装/外壳	TO-220FP
引脚数目	3
晶体管配置	单
FET类型	增强
类别	功率 MOSFET
Pd-功率耗散(Max)	300W
高度	16.15mm
每片芯片元件数目	1 Ohms
封装/外壳	10.65 x 4.85 x 16.15mm
宽度	4.85mm
系列	CoolMOS E6
晶体管材料	Si
漏源极电压Vds	620 pF @ 100 V
典型关断延迟时间	70 ns
典型接通延迟时间	11 ns
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
长度	10.65mm