参数 | 值 |
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产品 | IGBT |
型号编码 | IKQ50N120CH3 |
说明 | IGBT TO-247-3 |
品牌 | Infineon(英飞凌) |
起订量 | 240 |
最小包 | 240 |
现货 | 735 [库存更新时间:2025-04-21] |
Moisture Level | NA |
td(off) | 297.0ns |
tf | 30.0ns |
Technology | IGBT HighSpeed 3 |
Irrm | 34.0A |
tr | 32.0ns |
Eoff (Hard Switching) | 1.9mJ |
封装/外壳 | TO-247-3 |
VCE max | 1200.0 V |
Eoff (Hard Switching) | 1.9 mJ |
ICpuls max | 200.0A |
Ptot max | 652.0W |
IC (@ 25°) max | 100.0A |
Ptot max | 652.0 W |
td(on) | 34.0 ns |
Voltage Class max | 1200.0 V |
Switching Frequency min max | 18.0kHz 60.0kHz |
IF max | 50.0A |
Switching Frequency | 18-60 kHz |
QGate | 235.0nC |
Voltage Class max | 1200.0V |
Eon | 3.0mJ |
VCE max | 1200.0V |
VF | 1.9 V |
VCE(sat) | 2.0 V |
IF max | 50.0 A |
IFpuls max | 200.0A |
IC (@ 100°) max | 50.0A |
ICpuls max | 200.0 A |
Qrr | 3500.0 nC |
Switching Frequency min max | 18.0 kHz 60.0 kHz |
IC (@ 25°) max | 100.0 A |
IFpuls max | 200.0 A |
IC (@ 100°) max | 50.0 A |
功率 | 652W |
在25 C的连续集电极电流 | 100 A |
栅极/发射极最大电压 | ± 20 V |
栅极—射极漏泄电流 | 100nA |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压 VCEO | 1200 V |
集电极—射极饱和电压 | 2 V |
集电极最大连续电流 Ic | 100A |
工作温度 | -40°C ~ 175°C |