| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品 | MOSFET |
| 型号编码 | HTMN5130SSD-13 |
| 说明 | MOSFET 8-SO |
| 起订量 | 2 |
| 最小包 | 2 |
| 现货 | 458 [库存更新时间：2025-04-04] |
| FET类型 | 2N-Channel |
| Pd-功率耗散(Max) | 1.7W |
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | 130mΩ@3A,10V |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 218.7pF @ 25V |
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | 8.9nC @ 10V |
| 封装/外壳 | 8-SO |
| 工作温度 | -55℃~175℃(TJ) |
| 漏源极电压Vds | 55V |
| 连续漏极电流Id | 2.6A |
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