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    HGTD1N120BNS9An

    产品:通用MOSFET

    库存:398 Pcs [库存更新时间:2025-04-19]

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    产品概述
    参数
    产品通用MOSFET
    型号编码HGTD1N120BNS9An
    说明通用MOSFET   TO-252AA
    起订量2
    最小包2
    现货398 [库存更新时间:2025-04-19]
    IGBT类型NPT
    Voltage-CollectorEmitterBreakdown(Max)1200V
    Current-Collector(Ic)(Max)5.3A
    Current-CollectorPulsed(Icm)6A
    不同 Vge,Ic时的 Vce(on)2.9V @ 15V,1A
    Power-Max60W
    开关能量70µJ(开),90µJ(关)
    输入类型标准
    25°C时Td(开/关)值15ns/67ns
    测试条件960V,1A,82 欧姆,15V
    工作温度-55°C~150°C(TJ)
    封装/外壳TO-252AA

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