参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	HAT2165H-EL-E
说明	通用MOSFET   LFPAK SC-100,SOT-669
品牌	Renesas(瑞萨)
起订量	0
最小包	0
现货	182 [库存更新时间：2024-04-24]
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	55A(Ta)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	4.5V,10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	2.5V @ 1mA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	33nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	5180pF @ 10V
Rds On(Max)@Id,Vgs	3.3m Ohms@27.5A,10V
封装/外壳	LFPAK
漏源极电压Vds	30V
连续漏极电流Id	55A
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	33nC
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs	4.5V
栅极电压Vgs	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	5180pF
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds	10V
Pd-功率耗散(Max)	30W(Tc)
工作温度	150°C(TJ)
封装/外壳	SC-100,SOT-669