参数	值
产品	未分类
型号编码	FQA7N80C_F109
说明	未分类   TO-3PN 15.8mm 15.8x5x18.9mm
品牌	ON(安森美)
起订量	0
最小包	0
现货	526 [库存更新时间：2025-04-02]
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	7 A
漏源极电压Vds	800 V
Rds On(Max)@Id,Vgs	1.9 0hms
最小栅阈值电压	3V
栅极电压Vgs	±30V
封装/外壳	TO-3PN
晶体管配置	单
引脚数目	3
FET类型	增强
类别	功率 MOSFET
功率	198 W
典型接通延迟时间	35 ns
典型关断延迟时间	50 ns
漏源极电压Vds	1290 pF@ 25 V
栅极电压Vgs	10 V 时,27 常闭
晶体管材料	Si
系列	QFET
宽度	5mm
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
长度	15.8mm
高度	18.9mm
封装/外壳	15.8 x 5 x 18.9mm
每片芯片元件数目	1 Ohms