参数	值
产品	IGBT
型号编码	FF200R12KT4HOSA1
说明	IGBT   AG-62MM-1 模块
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	0
最小包	0
现货	540 [库存更新时间：2025-04-02]
系列	C
IGBT类型	沟槽型场截止
配置	半桥
电压-集射极击穿（最大值）	1200V
电流-集电极（Ic）（最大值）	320A
功率	1100W
不同 Vge，Ic时的 Vce（on）	2.15V @ 15V,200A
电流-集电极截止（最大值）	5mA
不同 Vce时的输入电容（Cies）	14nF @ 25V
输入	标准
NTC热敏电阻	无
工作温度	-40°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	AG-62MM-1
封装/外壳	模块