参数	值
产品	IGBT
型号编码	FF100R12RT4
说明	IGBT
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	10
最小包	10
现货	275 [库存更新时间：2026-03-01]
集电极—发射极最大电压 VCEO	1200V
集电极—射极饱和电压	2V
栅极—射极漏泄电流	100nA
功率	555W
栅极/发射极最大电压	20V
RoHS compliant	yes
包装方式	TRAY
Moisture Level	1 Ohms
Configuration	Dual
Dimensions (length)	94.0mm
Housing	34 mm
VCE(sat) (Tvj=25°C typ)	1.75V
IC(nom) / IF(nom)	100.0A
Dimensions (width)	34.0mm
VF (Tvj=25°C typ)	1.75V
工作温度	-40°C ~ 150°C