参数	值
产品	未分类
型号编码	FDT457N
说明	未分类   SOT-223-4 TO-261-4,TO-261AA
品牌	ON(安森美)
起订量	0
最小包	0
现货	539 [库存更新时间：2025-04-07]
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	30V
连续漏极电流Id	5A(Ta)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	5.9nC
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs	5V
栅极电压Vgs	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	235pF
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds	15V
功率	3W(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs	60 毫欧 @ 5A,10V
工作温度	-65°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	SOT-223-4
封装/外壳	TO-261-4,TO-261AA