参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	FDB86363_F085n:
说明	通用MOSFET   TO-263-3,D²Pak,TO-263AB D2PAK
起订量	800
最小包	800
现货	1994 [库存更新时间：2024-04-19]
系列	汽车级,AEC-Q101,PowerTrench®
连续漏极电流Id	110A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	4V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	150nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	10000pF @ 40V
栅极电压Vgs	±20V
Pd-功率耗散(Max)	300W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	2.4m Ohms@80A,10V
工作温度	-55°C~175°C(TJ)
封装/外壳	TO-263-3,D²Pak,TO-263AB
封装/外壳	D2PAK
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	80V
连续漏极电流Id	110A