参数	值
产品	未分类
型号编码	FCP20N60
说明	未分类   TO-220AB 10.1mm 10.1x4.7x9.4mm
品牌	Fairchild Semiconductor
起订量	0
最小包	0
现货	534 [库存更新时间：2026-04-10]
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	20 A
漏源极电压Vds	600V
Rds On(Max)@Id,Vgs	190 m0hms
最小栅阈值电压	3V
栅极电压Vgs	±30V
封装/外壳	TO-220AB
晶体管配置	单
引脚数目	3
FET类型	增强
类别	功率 MOSFET
功率	208 W
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
每片芯片元件数目	1 Ohms
长度	10.1mm
高度	9.4mm
系列	SuperFET
宽度	4.7mm
晶体管材料	Si
漏源极电压Vds	2370 pF @ 25 V
典型关断延迟时间	230 ns
典型接通延迟时间	62 ns
封装/外壳	10.1 x 4.7 x 9.4mm